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J-GLOBAL ID：200903068482576493

密着性に優れた溶射皮膜を形成する溶射方法

Inventor：
稲葉 次紀

About 稲葉 次紀

, 
戸部 省吾

About 戸部 省吾

, 
岩尾 徹

About 岩尾 徹


Applicant, Patent owner：
学校法人 中央大学

About 学校法人 中央大学


Agent (3)： 飯田 敏三 ,  佐々木 渉 ,  宮前 尚祐
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007235980
Publication number (International publication number)：2009068051
Application date： Sep. 11, 2007
Publication date： Apr. 02, 2009
Summary：
【課題】溶射前に基材表面を特定の処理手段を組み合わせた粗面化と清浄化により、基材と得られる溶射皮膜とが過酷な条件下であっても密着可能な密着性を有する溶射方法を提供する。【解決手段】金属基材表面をブラスト処理し、次いで該金属基材表面に法線方向から外力を作用させた状態で減圧アーククリーニング処理を行った後、溶射処理をする金属基材表面に密着性に優れた溶射皮膜を形成する溶射方法。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
金属基材表面をブラスト処理し、次いで該金属基材表面に法線方向から外力を作用させた状態で減圧アーククリーニング処理を行った後、溶射処理をする金属基材表面に密着性に優れた溶射皮膜を形成する溶射方法。
IPC (2)：
C23C 4/02 ,  B05D 1/08
FI (2)：
C23C4/02 ,  B05D1/08
F-Term (22)：
4D075BB04X ,  4D075BB83Y ,  4D075DB01 ,  4D075EA02 ,  4D075EB01 ,  4D075EB05 ,  4K031AA02 ,  4K031AB03 ,  4K031AB09 ,  4K031BA01 ,  4K031BA04 ,  4K031BA08 ,  4K031CB21 ,  4K031CB22 ,  4K031CB26 ,  4K031CB27 ,  4K031CB33 ,  4K031CB36 ,  4K031CB37 ,  4K031CB42 ,  4K031CB43 ,  4K031DA04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (6)
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