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J-GLOBAL ID：200903068490187218

磁気トンネル素子及びその製造方法

Inventor： 熊谷 静似 ,  中塩 栄治 ,  菅原 淳一 ,  池田 義人
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998263696
Publication number (International publication number)：2000099923
Application date： Sep. 17, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】トンネル電流が絶縁層に確実に流れ、安定的な磁気トンネリング効果を発現する。【解決手段】 少なくとも、第1の磁性層と、この第1の磁性層上に形成されたトンネル障壁層と、このトンネル障壁層上に形成された第2の磁性層とを有し、上記トンネル障壁層を介して上記第1の磁性層及び上記第2の磁性層の間にトンネル電流が流れる磁気トンネル素子において、上記第1の磁性層の上記トンネル障壁層が形成される表面の平均粗さ(Ra)が0.3nm以下であることを特徴とするものである。

Claim (excerpt)：

少なくとも、第1の磁性層と、この第1の磁性層上に形成されたトンネル障壁層と、このトンネル障壁層上に形成された第2の磁性層とを有し、上記トンネル障壁層を介して上記第1の磁性層及び上記第2の磁性層の間にトンネル電流が流れる磁気トンネル素子において、上記第1の磁性層の上記トンネル障壁層が形成される表面の平均粗さ(Ra)が0.3nm以下であることを特徴とする磁気トンネル素子。

F-Term (4)：

5D034BA15 ,  5D034BB20 ,  5D034CA00 ,  5D034DA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 強磁性トンネル効果膜を用いた磁気抵抗効果素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-246133   Applicant：日本電気株式会社
• トンネリング磁気抵抗効果素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-173695   Applicant：住友金属工業株式会社