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J-GLOBAL ID：200903068544005927

光学被膜、光学被膜の成膜方法、半導体レーザ素子及びSHGデバイス

Inventor：
森田 悦男

About 森田 悦男


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 大澤 斌 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001313567
Publication number (International publication number)：2003124561
Application date： Oct. 11, 2001
Publication date： Apr. 25, 2003
Summary：
【要約】【課題】 半導体レーザ素子及びSHGデバイスに適用できる変質し難い、更には剥離し難い光学被膜を提供する。【解決手段】 本半導体レーザ素子10は、GaN系半導体レーザ素子であって、ECRプラズマ法を用いて、Arガスと酸素ガスを含む雰囲気中で、速い成膜速度のスパッタ条件でAlターゲットをスパッタすることによって成膜された光学被膜30を共振器端面に有する。出射端面には、10%の反射率が得られる厚さのAl2O3膜30aが成膜されている。一方、出射端面とは反対側の共振器裏面には、例えば95%という高い反射率のAl2O3/TiO22層膜30bが成膜されている。Al2O3膜30a及びAl2O3/TiO2多層膜30bのガス元素の含量は、2原子%以下である。
Claim (excerpt)：
半導体レーザ素子、SHGデバイス等の発光素子及び光導波路の端面に設ける光学被膜であって、ガス元素の含量が0%以上2原子%以下であることを特徴とする光学被膜。
IPC (2)：
H01S 5/028 ,  H01L 21/316
FI (2)：
H01S 5/028 ,  H01L 21/316 X
F-Term (15)：
5F058BA10 ,  5F058BA20 ,  5F058BB10 ,  5F058BC03 ,  5F058BF01 ,  5F058BF12 ,  5F058BJ04 ,  5F073AB23 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB20 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21 ,  5F073DA33 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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