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J-GLOBAL ID：200903038935974103

半導体レーザ装置

Inventor： 粂 雅博 ,  伴 雄三郎 ,  石橋 明彦 ,  上村 信行 ,  武石 英見 ,  木戸口 勲
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997009813
Publication number (International publication number)：1997270569
Application date： Jan. 22, 1997
Publication date： Oct. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】 しきい値電流が低く、収差のないレーザ光が得られる、GaN系半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 本発明による半導体レーザ装置は、基板112と、該基板112上に設けられた積層構造体150とを備えた窒化ガリウム系化合物半導体レーザ装置であって、該積層構造体150は、少なくとも第1領域に形成されたInzGa1-zN活性層115(0≦z≦1)と、該活性層115を挟む一対のn型AlxGa1-xNクラッド層114(0≦x≦1) 及びp型AlyGa1-yNクラッド層116、118(0≦y≦1)と、AluGa1-uN(0≦u≦1)から形成されており、電流を該第1領域に狭窄するための該第1領域に対応する開口部180を有する電流狭窄構造117とを備えている。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板上に設けられた積層構造体とを備えた窒化ガリウム系化合物半導体レーザ装置であって、該積層構造体は、少なくとも第1領域に形成されたInzGa1-zN活性層(0≦z≦1)と、該活性層を挟む一対のn型AlxGa1-xNクラッド層(0≦x≦1)及びp型AlyGa1-yNクラッド層(0≦y≦1)と、AluGa1-uN(0≦u≦1)から形成されており、電流を該第1領域に狭窄するための該第1領域に対応する開口部を有する電流狭窄構造と、を備えている窒化ガリウム系化合物半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

• 特開平4-242985
  
• 化合物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-042964   Applicant：株式会社東芝
• 窒化ガリウム系化合物半導体の電極材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-118227   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-056723   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平3-083339
  
• 半導体積層薄膜およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-020923   Applicant：旭化成工業株式会社
• 特開平4-299876
  
• ヘテロエピタキシャル成長法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-011203   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 窒素-3族元素化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-293944   Applicant：豊田合成株式会社
• 半導体ウェハ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-336984   Applicant：日立電線株式会社
• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-082869   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭56-059699
  
• 特開昭56-160084