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J-GLOBAL ID：200903068692546015

半導体パッケ-ジと、それに用いる放熱基板の製造方法

Inventor： 平山 典男 ,  長田 光生 ,  市田 晃 ,  天野 良成 ,  浅井 清史 ,  前里 英俊 ,  有川 正 ,  崎前 賢二
Applicant, Patent owner： 東京タングステン株式会社
Agent (1)： 後藤 洋介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999001772
Publication number (International publication number)：2000216278
Application date： Jan. 07, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 静水圧成形法による放熱基板の製造方法と、その放熱基板を用いたマイクロ波半導体パッケージ。【解決手段】 窒化アルミニウムの表裏にCu-Mo放熱基板を設けた半導体パッケージにおいて、放熱基板は、Mo粉末7を充填した集合体をゴム媒体8等の軟質材で覆い、これを耐圧水槽に入れ静水圧を加える静水圧成形方法によってMo圧粉体を得、この圧粉体に質量比で30-40%のCuを載せて加熱処理して、Mo圧粉体にCuを含浸して染み込ませたCu-Mo複合基板を得、このCu-Mo複合基板を圧延して得られる。

Claim (excerpt)：

半導体素子を搭載するパッケージにおいて、モリブデンの圧粉体に質量比で30〜40%の銅(Cu)を溶融、染み込ませる含浸してなるCu-Mo複合基板であって、板厚が0.4mm未満の放熱基板を有することを特徴とする半導体パッケージ。

IPC (7)：

H01L 23/02 ,  B21B 3/00 ,  B22F 3/04 ,  B22F 3/26 ,  C04B 37/02 ,  H01L 23/08 ,  H01L 23/373

FI (7)：

H01L 23/02 H ,  B21B 3/00 L ,  B22F 3/04 A ,  B22F 3/26 D ,  C04B 37/02 B ,  H01L 23/08 D ,  H01L 23/36 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 放熱基板材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-065701   Applicant：東邦金属株式会社
• 傾斜機能材料の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-078059   Applicant：本田技研工業株式会社
• 特開昭52-150161