Pat
J-GLOBAL ID：200903068695509382

半導体装置

Inventor：
水谷 昌紀

About 水谷 昌紀

, 
野呂 弘司

About 野呂 弘司

, 
桑村 誠

About 桑村 誠


Applicant, Patent owner：
日東電工株式会社

About 日東電工株式会社


Agent (1)： 西藤 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998103116
Publication number (International publication number)：1999297904
Application date： Apr. 14, 1998
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：
【要約】【課題】半導体素子と配線回路基板および接続用電極部に生ずる応力の緩和効果に優れ、半導体素子と配線回路基板との電気的接続信頼性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】複数の接続用電極部2が設けられた配線回路基板1面に、上記接続用電極部2に対応する接続用電極部3が設けられた半導体素子5が、上記配線回路基板1面に設けられた接続用電極部2と半導体素子5面に設けられた接続用電極部3とが当接状態で搭載され、上記配線回路基板1と半導体素子5との間の空隙が封止樹脂層4によって封止された半導体装置である。そして、上記封止樹脂層4が、下記の硬化物特性(Y)を備えている。とともに、上記半導体素子5と配線回路基板1との当接状態における距離が50μm以下に設定されている。(Y)40〜80°Cの間における平均熱膨張係数が100ppm/°C以下である。
Claim (excerpt)：
接続用電極部が設けられた配線回路基板面に、上記接続用電極部に対応する接続用電極部が設けられた半導体素子が、上記配線回路基板面に設けられた接続用電極部と半導体素子面に設けられた接続用電極部とが当接状態で搭載され、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙が封止樹脂層によって封止されてなる半導体装置であって、上記封止樹脂層が、下記の硬化物特性(Y)を備えているとともに、上記半導体素子と配線回路基板との当接状態における距離が50μm以下に設定されていることを特徴とする半導体装置。(Y)40〜80°Cの間における平均熱膨張係数が100ppm/°C以下である。
IPC (4)：
H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/56 ,  C08G 59/62
FI (4)：
H01L 23/30 R ,  H01L 21/56 E ,  H01L 21/56 R ,  C08G 59/62
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM