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J-GLOBAL ID：200903068707505930

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 石川 浩
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998372196
Publication number (International publication number)：2000196198
Application date： Dec. 28, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 量子ドットを有する半導体装置及びその製造方法に関し、量子ドットの発光波長を制御しうる半導体装置の構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】 少なくとも3元素を含む化合物半導体基板10と、化合物半導体基板10上に形成され、発光波長が化合物半導体基板10の格子定数によって規定された量子ドット14とにより構成する。

Claim (excerpt)：

少なくとも3元素を含む化合物半導体基板と、前記化合物半導体基板上に形成され、発光波長が前記化合物半導体基板の格子定数によって規定された量子ドットとを有することを特徴とする半導体装置。

F-Term (6)：

5F073AA13 ,  5F073AA75 ,  5F073CA07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 3次元量子閉じ込めを利用した半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-222107   Applicant：富士通株式会社
• 量子半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-212811   Applicant：富士通株式会社
• 半導体量子ドット素子および該半導体量子ドット素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-016404   Applicant：日本電気株式会社