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J-GLOBAL ID：200903068722095102

加速度検出装置及びその製造方法

Inventor：
八木 健

About 八木 健


Applicant, Patent owner：
株式会社ニコン

About 株式会社ニコン


Agent (1)： 渡部 温
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998017638
Publication number (International publication number)：1999201983
Application date： Jan. 14, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：
【要約】【課題】 アライメントのズレによるクロストークの誤差を抑制した加速度検出装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 Si基板11の可撓部となる部分に不純物の拡散等を行うことにより複数のピエゾ抵抗素子12を形成し、Si基板11の裏面をKOH溶液などのエッチング液を用いて所望の深さまでエッチング加工することにより、Si基板11に作用部18、可撓部(ダイヤフラム)13及び固定部17を形成する。次に、Si基板11を例えば400°C程度に加熱し、作用部18に例えばはんだ等に用いられる錫-鉛合金を溶融したものをディスペンス装置等を用いて抽出する。この時、抽出された錫-鉛合金がその表面張力により自然に球形に形成され、この球形に形成された重錘体14が作用部18に接合される。従って、アライメントのズレによるクロストークの誤差を抑制できる。
Claim (excerpt)：
加速度が作用する作用体と、該作用体に連結された作用部と、該作用部に連結された可撓部と、該可撓部に形成された歪検出部であって該作用体が加速度を受けると該作用部を通して変形する該可撓部の歪を検出する歪検出部と、を備えた加速度検出装置の製造方法であって;1枚の半導体基板に該加速度検出装置を複数形成する際、該作用部に該作用体を1個1個載せることを特徴とする加速度検出装置の製造方法。
IPC (3)：
G01P 15/12 ,  G01P 15/08 ,  H01L 29/84
FI (3)：
G01P 15/12 ,  G01P 15/08 Z ,  H01L 29/84 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
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