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J-GLOBAL ID:200903068732122370

位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高月 亨
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994066869
Publication number (International publication number):1995281412
Application date: Apr. 05, 1994
Publication date: Oct. 27, 1995
Summary:
【要約】【目的】 半遮光部と光透過部とを備える位相シフトマスクについて、設計上の工夫により簡便に近接効果によるサブピークの問題を解決した位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法を提供する。【構成】 ?@第1の光透過部10aと、該第1の光透過部と半遮光部11を介して隣り合う第2の光透過部10bとを備え、第1、第2の光透過部と半遮光部とは互いに位相を異ならしめて透過光を透過させる位相シフトマスクであって、該第1、第2の光透過部が各々単独で存在するときに生じるサブピークが互いに重ならない位置に来る構成で該第1、第2の光透過部が形成されている。?A第1、第2の光透過部が各々単独で存在するときに生じるサブピークが互いに重ならない位置に来る構成で該第1、第2の光透過部を形成する位相シフトマスクの製造方法。
Claim (excerpt):
第1の光透過部と、該第1の光透過部と半遮光部を介して隣り合う第2の光透過部とを備え、第1、第2の光透過部と半遮光部とは互いに位相を異ならしめて透過光を透過させる位相シフトマスクであって、該第1、第2の光透過部が各々単独で存在するときに生じるサブピークが互いに重ならない位置に来る構成で該第1、第2の光透過部が形成されていることを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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