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J-GLOBAL ID：200903068893563511

強誘電体材料、その製造方法及び強誘電体メモリ

Inventor： 近藤 正雄 ,  丸山 研二 ,  上野 梨紗子 ,  舟窪 浩 ,  内田 寛 ,  幸田 清一郎 ,  中木 寛
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
Agent (2)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004371905
Publication number (International publication number)：2006176366
Application date： Dec. 22, 2004
Publication date： Jul. 06, 2006
Summary：

【課題】 鉛を含まず、かつPZTと同程度の残留分極を示す強誘電体材料及びその製造方法を提供する。【解決手段】 下地部材の表面上に、BiFeO3の前駆体溶液を塗布する。塗布後に熱処理を行い誘電体膜を得る。誘電体膜を、非酸化性雰囲気中で加熱し、結晶化させる。これにより、Bi、Fe、及びOを構成元素として含み、正方晶系または斜方晶系の結晶格子をもつ強誘電体材料が得られる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

Bi、Fe、及びOを構成元素として含み、正方晶系または斜方晶系の結晶格子をもつ強誘電体材料。

IPC (7)：

C04B 35/00 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788

FI (8)：

C04B35/00 J ,  H01B3/00 F ,  H01B3/00 H ,  H01B3/12 318Z ,  H01L27/10 444B ,  H01L27/10 444C ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 444A

F-Term (33)：

4G030AA27 ,  4G030AA43 ,  4G030BA09 ,  4G030BA10 ,  4G030CA08 ,  4G030GA17 ,  4G030GA19 ,  4G030GA27 ,  5F083FR01 ,  5F083FR02 ,  5F083FR07 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR23 ,  5F083PR34 ,  5F101BA62 ,  5F101BB02 ,  5F101BD02 ,  5G303AA10 ,  5G303AB20 ,  5G303BA03 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB05 ,  5G303CB13 ,  5G303CB15 ,  5G303CB22 ,  5G303DA02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 強誘電体メモリ材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-019129   Applicant：セイコーエプソン株式会社