Pat

J-GLOBAL ID：200903047380670811

強誘電体メモリ材料

Inventor： 宮澤 弘 ,  岩下 節也 ,  樋口 天光
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000019129
Publication number (International publication number)：2001210794
Application date： Jan. 27, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：

【要約】【課題】高いキュリー温度を有することで100°Cの環境下での繰り返し記録特性に優れ、なおかつ半導体プロセスと整合性のとれる低い温度600°C台で成膜することができる強誘電体メモリを提供すること。【解決手段】強誘電体メモリにおける強誘電体層を構成する材料であって、遷移金属酸化物において、前記遷移金属酸化物を構成する遷移金属の原子状態における価電子帯のd状態のエネルギーレベルと、前記遷移金属酸化物を構成する酸素の2p状態のエネルギーレベルの差が0.33Ry以内である遷移金属を主成分とする。

Claim (excerpt)：

強誘電体メモリにおける強誘電体層を構成する遷移金属酸化物からなる材料であって、前記遷移金属酸化物を構成する遷移金属の原子状態における価電子帯のd状態のエネルギーレベルと、前記遷移金属酸化物を構成する酸素の2p状態のエネルギーレベルの差が0.33Ry以内である遷移金属を主成分とすることを特徴とする強誘電体メモリ材料。

IPC (4)：

H01L 27/10 451 ,  C01G 49/00 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3)：

H01L 27/10 451 ,  C01G 49/00 A ,  H01L 27/10 651

F-Term (9)：

4G002AA06 ,  4G002AA07 ,  4G002AA08 ,  4G002AA09 ,  4G002AA10 ,  5F083AD21 ,  5F083AD49 ,  5F083GA21 ,  5F083JA13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 強誘電体薄膜およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-172020   Applicant：ティーディーケイ株式会社
• 層状結晶構造酸化物およびそれを用いたメモリ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-076154   Applicant：ソニー株式会社
• 強磁性強誘電体薄膜とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-090422   Applicant：科学技術振興事業団