Pat
J-GLOBAL ID:200903068927556099
温度センサ、測温機能付き半導体ウエハ、および熱電対センサを形成する方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
山本 秀策
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997260164
Publication number (International publication number):1999118616
Application date: Sep. 25, 1997
Publication date: Apr. 30, 1999
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 半導体製造装置内のウエハの表面温度を測定することが可能な、精度の高い、またコストの削減につながる測温機能付き半導体ウエハ、温度センサを提供する。また、熱電対センサを形成する方法を提供する。【解決手段】 温度センサは、ウエハ表面30上に形成あるいは配置される熱電対接点46を有する半導体ウエハ26を含む。熱電対接点46は、ウエハ26上の第1のパターニングされた導電体36および導電体36から離して設けられた第2のパターニングされた導電体40を含み得る。第1および第2のパターニングされた導電体36および40は、オーバーラップ領域において互いに電気的に接触して熱電対接点46を形成する。熱電対接点46の上方にさらに別の熱電対接点を形成して垂直方向に積層された複数の熱電対を形成し、これにより、垂直方向の温度勾配を測定することが可能である。
Claim (excerpt):
半導体ウエハと、該半導体ウエハの表面上の熱電対接点(thermocouple junction)と、を備えた、温度センサ。
IPC (4):
G01K 7/02
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 35/00
FI (3):
G01K 7/02 A
, H01L 35/00 S
, H01L 27/04 F
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
-
特開平2-254331
-
薄膜熱電対素子とその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-250228
Applicant:富士通株式会社
-
半導体ウエーハの温度測定方法及び温度測定手段を備える半導体ウエーハ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-117779
Applicant:新日本製鐵株式会社
-
特開昭53-076778
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-181197
Applicant:三菱電機株式会社
Show all
Return to Previous Page