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J-GLOBAL ID：200903068988389667

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
松浦 正純

About 松浦 正純


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998318571
Publication number (International publication number)：2000150429
Application date： Nov. 10, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】 製造工程を増加することなく外気中の水の侵入を防止することができ、低誘電率膜からなる層間絶縁膜を用いた半導体装置においても良好な特性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 第1の金属配線5とともにバリア層11aを形成し、接続孔部7および第2の配線層6とともに、バリア層11a上にバリア層11b,11cを形成することにより、シリコン基板上の多層配線層部5,6,7とダイシングライン部10との間に、バリア層11を多層配線層部5,6,7と同時に形成する。
Claim (excerpt)：
シリコン基板上に素子部および配線部を設け、上記配線部が絶縁膜と上記絶縁膜中に埋め込まれた金属とを備え、上記シリコン基板をダイシングラインによって切断し、上記素子部および配線部を含む半導体チップに分割する半導体装置において、上記配線部の絶縁膜の延長部で、上記ダイシングラインと上記配線部との間に上記金属からなるバリア層を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/301 ,  H01L 21/768
FI (2)：
H01L 21/78 Q ,  H01L 21/90 J
F-Term (21)：
5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP18 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033RR24 ,  5F033RR25 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033VV01 ,  5F033XX18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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