Pat
J-GLOBAL ID：200903070656381543

半導体装置の製造方法

Inventor：
柳田 敏治

About 柳田 敏治


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997089778
Publication number (International publication number)：1998284497
Application date： Apr. 08, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：
【要約】【課題】 Al電極パッド2に電気的に接続する部位へのハンダ膜パターンの形成をリフトオフ法により行なう場合にも、仕上がり後のハンダ・ボールの純度を高め、デバイスの製造歩留りを改善する。【解決手段】 ハンダ膜パターンの被着部位を規定するための開口6aを有するレジスト・パターン6について、ウェハWの表面の最高到達温度を該レジスト・パターン6の耐熱温度以下に制御しながら脱水処理を行なう。この脱水処理は、スパッタ・エッチング,高真空アニール,または不活性ガス雰囲気中における乾燥のいずれかにより行なう。この後、ウェハWの全面にハンダ膜を被着させ、開口6aの内部以外に被着されたハンダ膜をレジスト・パターン6と共に除去し、残ったハンダ膜パターンを加熱溶融処理にてハンダ・ボールに仕上げる。
Claim (excerpt)：
デバイス・チップを被覆する絶縁保護膜に電極パッドを露出させるための第1開口を形成する第1工程と、前記絶縁保護膜上に前記第1開口の形成領域をその近傍領域と共に露出させる第2開口を有するレジスト・パターンを形成する第2工程と、基体表面の最高到達温度を前記レジスト・パターンの耐熱温度以下に制御しながら少なくとも該レジスト・パターンの脱水処理を行う第3工程と、前記レジスト・パターンを用いるリフトオフ法により、前記第2開口に対応する領域にハンダ膜パターンを選択的に被着させる第4工程と、前記ハンダ膜パターンを熱処理により収縮変形させハンダ・ボールを形成する第5工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/321 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065
FI (5)：
H01L 21/92 604 C ,  H01L 21/30 562 ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/92 604 A ,  H01L 21/92 604 S
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM