光変換のための希土類ドープされた層または基板

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：谷義一 , 阿部和夫
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008555243
Publication number (International publication number)：2009527125
Application date： Jan. 22, 2007
Publication date： Jul. 23, 2009
Summary：

半導体材料の活性領域と、該活性領域の対向する側にある、1対の、半導体材料の、反対極性にドープされた層とを有する発光体構造を備えた固体発光デバイスを提供する。活性領域は、ドープされた層の両端に印加された電気的バイアスに応じて所定の波長で発光する。発光体構造と集積化され、少なくとも1つの希土類または遷移金属元素がドープされた、半導体材料の吸収層が含まれている。吸収層は、活性領域からの発光の少なくともいくらかを吸収し、少なくとも1つの異なる波長の光を再放出する。基板が含まれ、その上に発光体構造と吸収層とが配置されている。

Claim (excerpt)：

固体光発光デバイスであって、半導体材料の活性領域と、前記活性領域の対向する側にある、1対の、半導体材料の、反対極性にドープされた層であって、前記活性領域が、前記ドープされた層の両端に印加される電気的バイアスに応じて所定の波長で発光する前記ドープされた層と、を備えた発光体構造と、前記発光体構造に集積され、少なくとも1つの希土類または遷移金属元素をドープした、半導体材料の吸収層であって、前記活性領域からの発光の少なくともいくらかを吸収し、少なくとも1つの異なる波長の光を再放出する吸収層とを備えたことを特徴とする発光デバイス。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01S 5/343 , H01S 5/183

FI (4)：

H01L33/00 F , H01L33/00 C , H01S5/343 610 , H01S5/183

F-Term (22)：

5F041AA12 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA49 , 5F041CA50 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA92 , 5F041CB15 , 5F041CB28 , 5F041CB36 , 5F173AD06 , 5F173AG20 , 5F173AH22 , 5F173AH44 , 5F173AJ04 , 5F173AJ13 , 5F173AJ35 , 5F173AP05 , 5F173AR07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (12)

ハイデン(Hayden)による米国特許第5959316号明細書、発明の名称「蛍光剤-LEDデバイスの多重封止(Multiple Encapsulation of Phosphor-LED Devices.)」
米国特許第5,523,589号明細書
米国特許第5,739,554号明細書

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Cited by examiner (6)

半導体発光素子及びエピタキシャルウェハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-029300 Applicant：日立電線株式会社
多色光の発光方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-067198 Applicant：日本碍子株式会社
III族窒化物系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-001142 Applicant：豊田合成株式会社

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