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J-GLOBAL ID:200903069105882330

平衡不平衡変換回路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994285940
Publication number (International publication number):1996125413
Application date: Oct. 26, 1994
Publication date: May. 17, 1996
Summary:
【要約】【構成】 多層回路基板1の内層又は表面導体層にストリップラインで平衡不平衡変換器7a,7bを1体形成し第一導体層1a上の面実装部品であるダブルバランスミキサー2と接続した。【効果】 従来の面実装部品の一部が多層回路基板上から消去されることによって他の面実装部品が高密度実装可能となり、携帯電話全体の小形化、薄型化、軽量化さらには低価格化に貢献する。また多層基板内層の接地導体層に挟まれた層に形成するために電気的な結合汗渉が少くなり性能向上が期待される。
Claim (excerpt):
一つ以上の平衡型回路と、一つ以上の不平衡型回路と、前記平衡型回路と不平衡型回路とを接続する平衡不平衡変換器とからなり、前記平衡型回路及び不平衡型回路を多層回路基板の最外層に配設し、前記平衡不平衡変換器を前記多層回路基板の最外層又は内層導体層にマイクロストリップラインで構成するとともに該変換器が構成された層の上側又は下側の少なくともいずれか一方の層を接地された導体層としたことを特徴とする平衡不平衡変換回路。
IPC (3):
H01P 5/10 ,  H03D 7/14 ,  H05K 9/00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
  • 特開平1-117503
  • モノリシツクマイクロ波集積回路
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-221550   Applicant:株式会社エイ・テイ・アール光電波通信研究所
  • 平衡不平衡変換器
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-040771   Applicant:日本電気株式会社
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