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J-GLOBAL ID：200903069112272378

窒化物半導体素子及び半導体レーザダイオード

Inventor： 長濱 慎一 ,  妹尾 雅之 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997056870
Publication number (International publication number)：1998242587
Application date： Feb. 24, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 LEDの発光効率及びLDの閾値電流,電圧を小さくすることができる、電力効率及び量子効率の高い窒化物半導体素子を実現する。【解決手段】 p型窒化物半導体からなるp型コンタクト層と、該p型コンタクト層とオーミック接触するp型電極とを備えた窒化物半導体素子であって、p型コンタクト層を、Mgが5×1019/cm3以上の濃度にドープされた窒化物半導体からなりかつ500Å以下の厚さに形成する。又はp型コンタクト層を、直下のp型窒化物半導体層よりバンドギャップエネルギーが小さいp型窒化物半導体を用いかつ500Å以下の厚さに形成する。

Claim (excerpt)：

p型窒化物半導体層上に、p型コンタクト層を介して形成されたp型電極を備えた窒化物半導体素子であって、上記p型コンタクト層は、上記p型窒化物半導体層よりバンドギャップエネルギーが小さいp型窒化物半導体からなり、かつ500Å以下の厚さに形成されたことを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-079046   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-317844   Applicant：日亜化学工業株式会社