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J-GLOBAL ID：200903069115638632

電子部品用Ag合金膜およびAg合金膜形成用スパッタリングターゲット材

Inventor：
村田 英夫

About 村田 英夫


Applicant, Patent owner：
日立金属株式会社

About 日立金属株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002098751
Publication number (International publication number)：2003293054
Application date： Apr. 01, 2002
Publication date： Oct. 15, 2003
Summary：
【要約】【課題】 低い電気抵抗と耐熱性、耐食性、そして基板への密着性およびパタニング性を兼ね備えた電子部品用Ag合金膜とその電子部品用Ag合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 Smを0.1〜0.5at%、Auおよび/またはCuを合計で0.1〜1.0at%含み残部実質的にAgからなる電子部品用Ag合金膜である。また、Smを0.1〜0.5at%、Auおよび/またはCuを合計で0.1〜1.0at%含み残部実質的にAgからなる電子部品用Ag合金膜形成用スパッタリングターゲット材である。
Claim (excerpt)：
Smを0.1〜0.5at%、Auおよび/またはCuを合計で0.1〜1.0at%含み残部実質的にAgからなることを特徴とする電子部品用Ag合金膜。
IPC (5)：
C22C 5/06 ,  C22C 5/08 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301
FI (5)：
C22C 5/06 Z ,  C22C 5/08 ,  C23C 14/34 A ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301
F-Term (24)：
4K029AA06 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA22 ,  4K029BD00 ,  4K029BD02 ,  4K029DC04 ,  4M104AA01 ,  4M104BB08 ,  4M104BB38 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104DD55 ,  4M104DD64 ,  4M104DD78 ,  4M104GG04 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG20 ,  4M104HH08 ,  4M104HH12 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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