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J-GLOBAL ID：200903069131104745

量子ドット半導体装置

Inventor： 奥村 滋一 ,  山本 剛之
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (4)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006137515
Publication number (International publication number)：2007311463
Application date： May. 17, 2006
Publication date： Nov. 29, 2007
Summary：

【課題】 量子ドット半導体装置に関し、自己形成型量子ドットのサイズ及び形状を均一にする。【解決手段】 半導体基板1上に複数の2元化合物半導体の分子層の整数倍が交互に積層された短周期超格子構造層4を設けるとともに、短周期超格子構造層4上に自己形成型量子ドット5を設ける。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上に複数の2元化合物半導体の分子層の整数倍が交互に積層された短周期超格子構造層を設けるとともに、前記短周期超格子構造層上に自己形成型量子ドットを設けたことを特徴とする量子ドット半導体装置。

IPC (1)：

H01S 5/343

FI (1)：

H01S5/343

F-Term (15)：

5F173AA08 ,  5F173AA26 ,  5F173AA48 ,  5F173AF09 ,  5F173AF15 ,  5F173AG12 ,  5F173AG21 ,  5F173AH02 ,  5F173AH14 ,  5F173AP05 ,  5F173AP09 ,  5F173AP33 ,  5F173AR23 ,  5F173AR36 ,  5F173AR99

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-397796   Applicant：筑波大学長

Cited by examiner (4)

• 半導体量子ドット素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-304978   Applicant：東京大学長
• 特開昭63-132421
  
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-338407   Applicant：富士通株式会社
• 特開昭64-090523