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J-GLOBAL ID：200903069153049306

ガスセンサ及びその製造方法

Inventor： 玉置 純 ,  喜多 純一
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所 ,  学校法人立命館
Agent (1)： 野口 繁雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998297675
Publication number (International publication number)：2000121588
Application date： Oct. 20, 1998
Publication date： Apr. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 酸化物半導体を用いたガスセンサのアミン系ガスに対する感度を向上させる。【解決手段】 絶縁基板1上に、櫛形状の2個の金電極3及びその金電極3に接続された金端子5が形成され、金電極3の上面に、金電極3全体を覆うように、In2O3、SnO2又はSb2O5を混入したWO3からなる薄膜9が形成されている。金端子5に、金線7を介して抵抗計を接続し、トリメチルアミンが薄膜7に接触したときの電極3,3間の薄膜7の電気的特性を測定する。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に形成した電極間に酸化物半導体からなる薄膜を設け、その薄膜にガス中の測定対象成分が付着した際の電極間のその薄膜の電気的特性の変化によりアミン系ガスを測定するガスセンサにおいて、前記薄膜は、酸化タングステンに酸化インジウム、酸化錫又は酸化アンチモンを混入させたものであることを特徴とするガスセンサ。

FI (2)：

G01N 27/12 C ,  G01N 27/12 M

F-Term (18)：

2G046AA18 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB06 ,  2G046BC04 ,  2G046BC08 ,  2G046BE03 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EA08 ,  2G046EA09 ,  2G046FB02 ,  2G046FC02 ,  2G046FE15 ,  2G046FE36 ,  2G046FE39 ,  2G046FE46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• ガスセンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-089735   Applicant：東陶機器株式会社
• アミンセンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-289427   Applicant：フィガロ技研株式会社
• ガスセンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-183180   Applicant：フィガロ技研株式会社
• 特開平4-029049