SOI基板の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：須田正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996062534
Publication number (International publication number)：1996321594
Application date： Mar. 19, 1996
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：

【要約】【課題】基板表面の活性領域のSi層に転位欠陥を形成しにくい。比較的低い加速電圧により、基板表面粗さを小さくして、かつ所定の深さ領域に境界が急峻で層厚の小さな埋込みシリコン酸化層を形成し得る。また基板中の重金属を低減し得る。【解決手段】シリコン基板11に真空中で少なくともHeイオン等のシリコンに反応しないイオンを注入することによりシリコン基板11内部にイオン注入損傷領域12を形成した後、イオン注入損傷領域12が形成されたシリコン基板11を酸化性雰囲気中で1000°C〜1400°Cの温度でアニール処理してシリコン基板11表面から所定の深さの領域に埋込みシリコン酸化層13を形成して基板表面に単結晶Si層11aを形成する。

Claim (excerpt)：

シリコン基板(11)に真空中で少なくともHeイオン、Hイオン、Arイオン又はSiイオンを注入することにより前記シリコン基板(11)内部にイオン注入損傷領域(12)を形成する工程と、前記イオン注入損傷領域(12)が形成されたシリコン基板(11)を酸化性雰囲気中で1000°C〜1400°Cの温度でアニール処理して前記シリコン基板(11)表面から所定の深さの領域に埋込みシリコン酸化層(13)を形成して前記基板表面に単結晶Si層(11a)を形成する工程とを含むことを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (5)：

H01L 27/12 , H01L 21/265 , H01L 21/324 , H01L 21/76 , H01L 27/00 301

FI (6)：

H01L 27/12 E , H01L 21/324 Z , H01L 27/00 301 S , H01L 21/265 Q , H01L 21/265 J , H01L 21/76 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

SOI基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-017480 Applicant：日本電気株式会社
シリコンウェハ内に埋込酸化層を形成するための方法、および半導体コンポーネント
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-243271 Applicant：コンソルツィオ・ペール・ラ・リケルカ・スラ・ミクロエレットローニカ・ネル・メッツォジオルノ
特開平1-108764

Show all

Return to Previous Page