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J-GLOBAL ID：200903069176190766

エピタキシャル成長用基板の製造方法及びこのエピタキシャル成長用基板を用いた半導体装置の製造方法

Inventor：
西尾 譲司

About 西尾 譲司

, 
石川 正行

About 石川 正行


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 三好 秀和 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000301301
Publication number (International publication number)：2001342100
Application date： Sep. 29, 2000
Publication date： Dec. 11, 2001
Summary：
【要約】【課題】 結晶欠陥が少なく、表面モフォロジーが良好な、GaN系化合物半導体単結晶薄膜エピタキシャル成長用の基板を、効率よく、且つ簡単に得る。【解決手段】 (イ)バルク結晶基板301上に、第1のGaN系化合物半導体単結晶薄膜303をエピタキシャル成長する工程と、(ロ)Inを含むGaN系化合物半導体単結晶薄膜304をエピタキシャル成長する工程と、(ハ)第2のGaN系化合物半導体単結晶薄膜305をエピタキシャル成長する工程と、(ニ)第2のGaN系化合物半導体単結晶薄膜305を、バルク結晶基板301から分離し、エピタキシャル成長用基板とする工程とを少なくとも有する。
Claim (excerpt)：
バルク結晶基板上に、第1の窒化ガリウム系化合物半導体単結晶薄膜をエピタキシャル成長する工程と、前記第1の窒化ガリウム系化合物半導体単結晶薄膜の上にインジウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体単結晶薄膜をエピタキシャル成長する工程と、前記インジウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体単結晶薄膜の上に、第2の窒化ガリウム系化合物半導体単結晶薄膜をエピタキシャル成長する工程と、前記第2の窒化ガリウム系化合物半導体単結晶薄膜を、前記バルク結晶基板から分離し、エピタキシャル成長用基板とする工程とを少なくとも有することを特徴とするエピタキシャル成長用基板の製造方法。
IPC (3)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  H01L 33/00
FI (3)：
C30B 29/38 D ,  C30B 25/18 ,  H01L 33/00 C
F-Term (15)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  5F041AA40 ,  5F041AA41 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA62 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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