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J-GLOBAL ID：200903069211901077

微細構造形成実験用マスクパターン

Inventor：
芦田 極

About 芦田 極

, 
柴田 浩一

About 柴田 浩一


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003314049
Publication number (International publication number)：2005085875
Application date： Sep. 05, 2003
Publication date： Mar. 31, 2005
Summary：
【課題】 実験によりマスク部及びマスク部以外の領域のエッチングレートを算出する際、絶対的な高さの変化を測定できず、正確にエッチングレートを算出できない【解決手段】 単結晶シリコンに対してFFM加工、FIB照射等により極微細な機械加工を行い、または他の手法によりエッチングマスクとして機能する表面を形成し、その後にエッチング液を用いてマスク以外の部分を溶解することで、ナノメータスケールの微細構造を形成する加工を行うため、加工条件に関する基礎的データを収集するための実験を行うに際して、加工部の近傍に高さ測定の基準面となる40μm×40μm程度の正方状のSiO2マスクパターンを作製しておく。この基準面を参照することで、マスク部及びエッチング部のエッチングレートを容易に、且つ正確に測定できる。このとき、加工部の近傍に加工条件の識別のため00〜99までの数字を作製しておく。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
単結晶シリコン材料表面にエッチングマスクとして機能する微細構造表面を形成し、その後エッチング液を用いてマスク以外の部分を溶解して、ナノメータスケールの微細構造を形成する加工法における、加工条件に関する基礎的データを収集するための実験を行う際に、 前記微細構造形成部分に近接して前記エッチングによる除去が全くなされない基準面を予め形成し、 前記基準面を参照してマスク部及びエッチング部のエッチングレートを測定することを特徴とする微細構造形成実験方法。
IPC (2)：
H01L21/66 ,  B81C1/00
FI (2)：
H01L21/66 P ,  B81C1/00
F-Term (7)：
4M106AA01 ,  4M106CA48 ,  4M106DH03 ,  4M106DH50 ,  4M106DH55 ,  4M106DJ17 ,  4M106DJ18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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