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J-GLOBAL ID：200903059415112661

微細構造作製方法

Inventor： 芦田 極 ,  森田 昇 ,  川堰 宣隆 ,  廖 国新
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003293751
Publication number (International publication number)：2005064298
Application date： Aug. 15, 2003
Publication date： Mar. 10, 2005
Summary：

【課題】 単結晶シリコンをエッチングにより微細加工するに際して、フォトレジスト処理、遠紫外線の照射作業、酸化処理等を必要とせずに、任意の形状で且つ任意の高さの微細構造物を製作可能な微細構造作製方法を得る。【解決手段】 単結晶シリコン材料表面に摩擦力顕微鏡の機構を用いて所定形状の微細機械加工を施し、エッチング溶液により前記材料をエッチングすることによって所定形状の微細パターンを形成するに際して、微細機械加工部分の垂直荷重を任意に選択し、或いは微細機械加工時の送り量を任意に選択することにより、エッチング液の濃度を変化させずに、形成される微細パターンの高さを調節することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

単結晶シリコン材料表面に所定形状の微細機械加工を施し、エッチング溶液により前記材料をエッチングすることによって所定形状の微細パターンを形成する微細構造作製方法において、前記微細機械加工部分の垂直荷重を任意に選択することにより、形成される微細パターンの高さを調節することを特徴とする微細構造作製方法。

IPC (2)：

H01L21/306 ,  B81C1/00

FI (2)：

H01L21/306 B ,  B81C1/00

F-Term (4)：

5F043AA02 ,  5F043AA31 ,  5F043BB02 ,  5F043CC20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 微細パターニング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-251338   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 特開昭57-100734
  
• シリコン基板の加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-230083   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体基板の微細加工用の加工針及び半導体基板の微細加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-126544   Applicant：新日本製鐵株式会社

Cited by examiner (2)

• 特開昭57-100734
  
• シリコン基板の加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-230083   Applicant：セイコーエプソン株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 摩擦力顕微鏡を用いた微細機械加工とエッチングの併用によるマスクレスパターン形成