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J-GLOBAL ID：200903069272785266

エレクトロルミネッセンス表示装置

Inventor：
山田 努

About 山田 努


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999012280
Publication number (International publication number)：2000214800
Application date： Jan. 20, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：
【要約】【課題】 高速の書き込みと保持特性が良い第1のTFTと、電流制御性が良い第2のTFTとを備えているので、良好な階調表示が可能なEL表示装置を提供する。【解決手段】 スイッチング用の第1のTFT30と、有機EL素子駆動用の第2のTFTと、陽極61、陰極66及び該両電極の間に挟まれた発光素子層65から成る有機EL素子60とを備えた有機EL表示装置であって、第1のTFT30はn型チャネルを有しLDD構造を備えており、第2のTFTはp型チャネルを有している構造であるので、オン電流を高くリーク電流を小さくすることができるとともに、良好な階調表示を得ることができる。
Claim (excerpt)：
陽極と陰極との間に発光層を有するエレクトロルミネッセンス素子と、非単結晶半導体膜からなる能動層のソースが補助容量に、前記能動層のドレインがドレイン信号線に、前記能動層のチャネル上方に設けたゲート電極がゲート信号線にそれぞれ接続された第1の薄膜トランジスタと、非単結晶半導体膜からなる能動層のドレインが前記エレクトロルミネッセンス素子の駆動電源に、ゲートが前記第1の薄膜トランジスタのソースにそれぞれ接続された第2の薄膜トランジスタとを備えており、前記第1の薄膜トランジスタはn型チャネルを有するとともに、LDD構造、マルチゲート構造またはオフセット構造のうちいずれか1つの構造を備えており、前記第2の薄膜トランジスタはp型チャネルを備えていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
IPC (3)：
G09F 9/30 365 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/26
FI (3)：
G09F 9/30 365 B ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/26 Z
F-Term (12)：
3K007AB17 ,  3K007BA06 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA02 ,  5C094AA02 ,  5C094AA25 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA29 ,  5C094CA25 ,  5C094GA10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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