半導体積層構造および半導体光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：加藤一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993271329
Publication number (International publication number)：1995106711
Application date： Oct. 04, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】歪みを導入した比較的に厚膜な積層構造及びその積層構造を利用した半導体光素子である。【構成】積層方向に一定の格子定数を有す第1の半導体層1と、積層方向に格子定数の分布を有する第2の半導体層2とが積層される半導体積層構造である。第2の半導体層2では、第1の半導体層1との格子定数の差に応じて面内応力による歪みをうける。第2の半導体層2の歪みは、第2の半導体層2全域にわたって結晶欠陥を引き起こさないような分布を有している。この半導体積層構造は半導体光素子の光閉じ込め層に利用される。

Claim (excerpt)：

積層方向に一定の格子定数を有す第1の半導体層と、積層方向に格子定数の分布を有する第2の半導体層とが積層される半導体積層構造において、第2の半導体層では、第1の半導体層との格子定数の差に応じて面内応力による歪みをうけ、第2の半導体層の歪みが、第2の半導体層全域にわたって結晶欠陥を引き起こさないような分布を有していることを特徴とする半導体積層構造。

IPC (2)：

H01S 3/18 , G02F 1/35 503

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-061772 Applicant：株式会社日立製作所
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-136359 Applicant：日本電気株式会社
ヘテロ構造半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-334514 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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