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J-GLOBAL ID：200903069328330550

半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor：
瀧澤 照夫

About 瀧澤 照夫


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (3)： 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003327755
Publication number (International publication number)：2005093875
Application date： Sep. 19, 2003
Publication date： Apr. 07, 2005
Summary：
【課題】 ボディソース接続層の境界でのインパクトイオン化を抑制する。【解決手段】 ソース層6aとボディソース接続層7a、7bとの境界にそれぞれ沿って、ソース層6aとボディソース接続層7a、7bとの間の電界を緩和する電界緩和領域8a、8bを形成するとともに、ソース層6aおよびボディソース接続層7a、7bとコンタクトをとるためのソースコンタクトC1、C2を電界緩和領域8a、8bにそれぞれ跨るように配置する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
絶縁層上に形成された半導体層と、 前記半導体層上に配置されたゲート電極と、 前記ゲート電極の一方の側に配置され、前記半導体層に形成されたソース層と、 前記ゲート電極の他方の側に配置され、前記半導体層に形成されたドレイン層と、 前記ゲート電極下のボディ領域と前記ソース層とを接続するボディソース接続層と、 前記ソース層と前記ボディソース接続層との間に設けられた電界緩和領域とを備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (1)：
H01L29/786
FI (3)：
H01L29/78 626B ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 616V
F-Term (23)：
5F110AA11 ,  5F110AA15 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE45 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ06 ,  5F110HJ13 ,  5F110HM04 ,  5F110NN02 ,  5F110NN62 ,  5F110NN66 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-274136   Applicant：株式会社東芝
Cited by examiner (4)
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