半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松下義治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002368221
Publication number (International publication number)：2004200475
Application date： Dec. 19, 2002
Publication date： Jul. 15, 2004
Summary：

【課題】寄生バイポーラ現象によりドレイン近傍に発生する電子もしくはホールの引き抜きを素早く行うこと。【解決手段】SOI基板上のMOSトランジスタのドレイン領域12の一部に、ドレイン領域とは逆の導電型領域を設けてボディ電位引出し領域とする。ボディ電位引出し領域は低濃度領域132と高濃度領域131に分かれ、高濃度ボディ電位引出し領域は低濃度ボディ電位引出し領域を介してドレイン領域と接している。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

支持基板と、前記支持基板上に埋め込み絶縁膜を介して設けられた第一導電型のボディ領域と、前記ボディ領域をはさんで前記埋め込み絶縁膜上に形成された単結晶半導体からなる第二導電型のソース領域およびドレイン領域と、前記ボディ領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ドレイン領域またはソース領域の両脇に、前記ボディ領域に接するように設けられた複数の第一導電型領域を有することを特徴とするMOSトランジスタ。

IPC (1)：

H01L29/786

FI (2)：

H01L29/78 626B , H01L29/78 616T

F-Term (16)：

5F110AA13 , 5F110AA15 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD22 , 5F110EE09 , 5F110FF02 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG60 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110NN62 , 5F110NN66 , 5F110QQ11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置、半導体ゲートアレイおよび電気光学装置および電子機器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-089579 Applicant：セイコーエプソン株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-263096 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-035180 Applicant：三菱電機株式会社

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