Pat
J-GLOBAL ID：200903069400685741

水処理装置

Inventor：
北山 直樹

About 北山 直樹

, 
森泉 雅貴

About 森泉 雅貴

, 
廣瀬 潤

About 廣瀬 潤


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001267182
Publication number (International publication number)：2003071454
Application date： Sep. 04, 2001
Publication date： Mar. 11, 2003
Summary：
【要約】【課題】 温度による窒素成分の除去能力に影響を受けない水処理装置を提供する。【解決手段】 被処理水は、第一,第二嫌気ろ床槽5,10、接触ばっ気槽14、沈殿槽19、リン除去用の電解槽59を循環される。なお、沈殿槽19内の被処理水の上澄みは、消毒槽21に流れ込んだ後、窒素除去用の電解槽100に送られる。電解槽100内には電極対が備えられ、アノード側では、被処理水中に存在するハロゲンイオンが酸化され、ハロゲンガスが生成された後、当該ガスが被処理水中の水と反応して次亜ハロゲン酸が生成される。一方、カソード側では、被処理水中の窒素成分が硝酸イオンに変換され、さらに、硝酸イオンがアンモニウムイオンに変換される。そして、次亜ハロゲン酸とアンモニウムイオンが反応し、窒素成分は、クロラミン類を経て、窒素ガスに変換される。
Claim (excerpt)：
被処理水を収容する収容部と、前記収容部内の被処理水に浸され、当該被処理水内の窒素化合物を電気化学的に処理する窒素処理用電極対とを含む、水処理装置。
IPC (6)：
C02F 1/461 ,  C02F 1/46 ZAB ,  C02F 1/48 ,  C02F 3/34 101 ,  C02F 3/34 ,  C02F 11/00
FI (7)：
C02F 1/46 ZAB ,  C02F 1/48 A ,  C02F 3/34 101 A ,  C02F 3/34 101 D ,  C02F 11/00 A ,  C02F 1/46 101 A ,  C02F 1/46 101 C
F-Term (34)：
4D040AA23 ,  4D040BB02 ,  4D040BB42 ,  4D040BB52 ,  4D040BB82 ,  4D040DD03 ,  4D040DD14 ,  4D059AA03 ,  4D059BJ01 ,  4D059BK11 ,  4D059BK21 ,  4D059BK25 ,  4D061DA08 ,  4D061DB18 ,  4D061DC08 ,  4D061DC14 ,  4D061DC15 ,  4D061EA02 ,  4D061EA03 ,  4D061EB01 ,  4D061EB05 ,  4D061EB19 ,  4D061EB27 ,  4D061EB28 ,  4D061EB30 ,  4D061EB37 ,  4D061EB39 ,  4D061ED12 ,  4D061ED13 ,  4D061FA10 ,  4D061FA14 ,  4D061FA15 ,  4D061GA06 ,  4D061GC16
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (13)
Show all
Cited by examiner (14)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM