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J-GLOBAL ID：200903069433420018

微細パターン検査方法

Inventor：
笹嶋 二大

About 笹嶋 二大

, 
小室 修

About 小室 修

, 
水野 文夫

About 水野 文夫


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 平木 祐輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999287057
Publication number (International publication number)：2001110862
Application date： Oct. 07, 1999
Publication date： Apr. 20, 2001
Summary：
【要約】【課題】 半導体ウエハ上に形成された微細パターン及びそれを露光した露光装置の評価と異常検知を行う。【解決手段】 ステッパにより露光した微細パターンに対しエッジ検出を行い、個々のパターンに対してレジスト表面及び底面におけるパターン形状を検出する。検出されたレジスト表面及び底面のパターンの位置関係を示す位置ずれベクトルを算出、画面表示することで微細パターンの評価を行う。更にチップ、1ショット、ウエハの複数位置の微細パターンで同様に位置ずれベクトルを算出し、各場所における位置ずれベクトルの大きさ、分布状況を特徴量として分類、その傾向を各範囲内で分析することで露光装置あるいはウエハの異常検知を行う。
Claim (excerpt)：
基板上に塗布された薄膜にパターン露光工程を経て形成された微細パターンを検査する微細パターン検査方法において、前記薄膜に形成された微細パターンの画像を取得する工程と、前記画像から前記薄膜の上面における微細パターン形状と前記薄膜の下面における微細パターン形状を求める工程と、前記工程で求めた2つの微細パターンの位置ずれを検出する工程とを含むことを特徴とする微細パターン検査方法。
IPC (3)：
H01L 21/66 ,  G01B 11/00 ,  H01L 21/027
FI (3)：
H01L 21/66 J ,  G01B 11/00 A ,  H01L 21/30 502 V
F-Term (28)：
2F065AA03 ,  2F065AA17 ,  2F065AA49 ,  2F065BB02 ,  2F065CC19 ,  2F065FF04 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ19 ,  2F065JJ26 ,  2F065PP23 ,  2F065PP24 ,  2F065QQ13 ,  2F065QQ25 ,  2F065SS01 ,  2F065SS03 ,  2F065SS13 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA02 ,  4M106CA39 ,  4M106CA50 ,  4M106DB04 ,  4M106DB05 ,  4M106DB21 ,  4M106DH49 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ23 ,  4M106DJ24
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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