ダイナミックランダムアクセスメモリ装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995008597
Publication number (International publication number)：1996204142
Application date： Jan. 24, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】本発明は、DRAMのメモリセル領域におけるトランジスタのカットオフ特性とハイレベルの書き込み補償を満足するととに周辺回路領域のトランジスタの駆動力を向上させて、高密度高速DRAMの実現を図る。【構成】 DRAM1において、メモリセル領域を構成するメモリセルアレイブロック11のトランジスタのゲート絶縁膜(図示せず)を、周辺回路ブロック12(周辺回路領域)およびI/O回路ブロック13(I/O回路領域)の各トランジスタのゲート絶縁膜よりも厚く形成したものである。またはメモリセル領域およびI/O回路領域の各トランジスタのゲート絶縁膜を、それ以外の各トランジスタのゲート絶縁膜よりも厚く形成したものである。

Claim (excerpt)：

1トランジスタ1キャパシタ型のダイナミックランダムアクセスメモリ装置において、メモリセル領域のトランジスタのゲート絶縁膜を、該メモリセル領域以外のトランジスタのゲート絶縁膜よりも厚く形成したことを特徴とするダイナミックランダムアクセスメモリ装置。

IPC (5)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 29/78

FI (4)：

H01L 27/10 681 F , H01L 27/08 102 C , H01L 27/10 671 Z , H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭55-083251
特開平2-237153
特開平4-165670

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