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J-GLOBAL ID：200903069603820563

半導体発光装置

Inventor：
前田 修作

About 前田 修作

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勝田 浩人

About 勝田 浩人

, 
宮脇 美智雄

About 宮脇 美智雄


Applicant, Patent owner：
松下電子工業株式会社

About 松下電子工業株式会社


Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998095641
Publication number (International publication number)：1999298035
Application date： Apr. 08, 1998
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：
【要約】【課題】 静電気保護用の素子を組み込んでも装置の嵩を小さく抑えることができるとともに良好な発光が得られる半導体発光装置の提供。【解決手段】 静電気保護用のSiダイオード素子8をリードフレームや基板等の基材の搭載面に搭載し、フリップチップ型の半導体発光素子1をSiダイオード素子8の上面にp側及びn側の電極3,2を導通させて搭載し、半導体発光素子1の搭載面側と反対側を主光取出し面とした半導体発光装置において、Siダイオード素子8には、基材と半導体発光素子1との間の導通路を形成するn型半導体領域8aとp型半導体領域8bとを備え、これらの半導体領域8a,8bを半導体発光素子1及び基材に接合し、ワイヤボンディングが不要なアセンブリとする。
Claim (excerpt)：
静電気保護素子をリードフレームや基板等の基材の搭載面に搭載し、フリップチップ型の半導体発光素子を前記静電気保護素子の上面にp側及びn側の電極を逆極性で導通させて搭載し、前記半導体発光素子の搭載面側と反対側を主光取出し面とした半導体発光装置において、前記静電気保護素子は、前記基材と半導体発光素子との間の導通路を形成するn型半導体領域とp型半導体領域とを備え、これらの半導体領域をn側及びp側の電極を介して前記半導体発光素子及び基材に接合してなる半導体発光装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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