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J-GLOBAL ID：200903069652150158
堆積膜形成装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
大川 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004360493
Publication number (International publication number)：2006169558
Application date： Dec. 13, 2004
Publication date： Jun. 29, 2006
Summary：
【課題】 従来の堆積膜の膜厚の不均一を緩和することができる新規な堆積膜形成装置を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明の堆積膜形成装置は、プラズマCVD法によって導電性のワーク22の表面に堆積膜を形成する堆積膜形成装置であって、成膜炉11と、成膜炉11内に位置し成膜炉11と等電位の陽極部材1と、板状ワーク22を陽極部材1の周りに周方向に保持し、かつ、マイナス極に結線されたワーク保持手段20と、処理ガスを供給するガスノズル23,33と、少なくともワーク保持手段20に結線されたプラズマ電源16と、を具備することを特徴とする。 この際、成膜炉11は、円筒形状部を有し、陽極部材1は、成膜炉11と同軸的に配置され円柱形状であるのが好ましい。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
プラズマCVD法によって導電性のワークの表面に堆積膜を形成する堆積膜形成装置であって、
成膜炉と、
該成膜炉内に位置し該成膜炉と等電位の陽極部材と、
前記ワークを該陽極部材の周りに周方向に保持し、かつ、マイナス極に結線されたワーク保持手段と、
処理ガスを供給するガスノズルと、
少なくとも前記ワーク保持手段に結線されたプラズマ電源と、
を具備することを特徴とする堆積膜形成装置。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (10)：
4K030AA06
, 4K030AA09
, 4K030AA16
, 4K030AA17
, 4K030BA28
, 4K030CA02
, 4K030FA01
, 4K030GA02
, 4K030KA04
, 4K030KA15
Cited by applicant (2)
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ダイヤモンド状炭素薄膜形成装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-069230
Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
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アモルファス炭素膜の成膜方法および成膜装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2003-379077
Applicant：豊田工機株式会社, 株式会社豊田中央研究所, 日本電子工業株式会社
Cited by examiner (3)
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特開昭62-139878
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アモルファス炭素膜の成膜方法および成膜装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2003-379077
Applicant：豊田工機株式会社, 株式会社豊田中央研究所, 日本電子工業株式会社
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堆積膜の製造装置および製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-188267
Applicant：キヤノン株式会社
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