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J-GLOBAL ID：200903069692214760
半導体装置の製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 幸彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998019182
Publication number (International publication number)：1999219962
Application date： Jan. 30, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：
【要約】ウエハに大きな反りを生じることなく、幅広い温度で接着剤をウエハに接着できる接着剤付半導体素子のダイボンディング方法及びその方法で製造された耐リフロー性に優れた半導体装置を製造する。【解決手段】多数の半導体素子が形成されたウエハ4の裏面にフィルム状単層接着剤1を熱圧着して得る接着剤付ウエハに更にダイシングテープ6を貼り付け固着後、個別の半導体素子7に分割し、このフィルム状接着剤付き半導体素子を、ダイパットを持つリードフレームや有機基板などにダイボンディングして半導体装置を製造する。
Claim (excerpt)：
多数の半導体素子が形成されたウエハ裏面にフィルム状単層接着剤を熱圧着して接着剤付ウエハとし、該接着剤付ウエハをダイシングテープに貼り付け固着して個別半導体素子に分割切断した後、前記ダイシングテープを剥離して得られる接着剤付き半導体素子を支持部材にダイボンディングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/52
, C09J 7/00
, H01L 21/301
H01L 21/52 C
, H01L 21/52 E
, C09J 7/00
, H01L 21/78 M
Cited by examiner (5)
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