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J-GLOBAL ID：200903069710894952

アモルファスシリコン系薄膜光電変換装置

Inventor： 西尾 仁
Applicant, Patent owner： 鐘淵化学工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999201791
Publication number (International publication number)：2001036103
Application date： Jul. 15, 1999
Publication date： Feb. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】 良好な初期特性を発揮するとともに、劣化が抑制された安定なアモルファスシリコン系薄膜光電変換装置を提供する。【解決手段】 ガラス基板10上に、透明電極20、アモルファスシリコン半導体層30および裏面電極40を順次形成したアモルファスシリコン系薄膜光電変換装置において、ガラス基板10が、波長700nmの光の透過率が88〜90%、波長800nmの光の透過率が84〜87%である。

Claim (excerpt)：

ガラス基板上に、透明電極、アモルファスシリコン系半導体を含む半導体層および裏面電極を順次形成したアモルファスシリコン系薄膜光電変換装置において、前記ガラス基板は、波長700nmの光の透過率が88〜90%、波長800nmの光の透過率が84〜87%であることを特徴とするアモルファスシリコン系薄膜光電変換装置。

F-Term (10)：

5F051AA05 ,  5F051BA17 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA19 ,  5F051FA23 ,  5F051GA03 ,  5F051GA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 放射光透過率を調整した透明板ガラス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-025155   Applicant：早川正志, セントラル硝子株式会社
• 光起電力装置の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-199756   Applicant：鐘淵化学工業株式会社