半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993302473
Publication number (International publication number)：1995161931
Application date： Dec. 02, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】リーク電流特性を劣化させずに、容量値を増大させるDRAMの容量素子の形成方法を提供する。【構成】多結晶シリコン膜102を形成し、この表面にタングステン系金属膜103を形成し、容量下部電極2Aを形成する。容量絶縁膜である酸化タンタル膜に酸化プラズマ処理による緻密化処理を施して酸化タンタル膜11Aを形成する。

Claim (excerpt)：

第1の金属元素を含んだ第1の導電体膜を表面に有する容量下部電極を形成する工程と、酸化タンタル膜からなる容量絶縁膜を形成する工程と、前記酸化タンタル膜を緻密化処理する工程と、第2の金属元素を含んだ第1の導電体膜からなる容量上部電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/28 301 , H01L 21/316 , H01L 21/8242 , H01L 27/108

FI (2)：

H01L 27/04 C , H01L 27/10 325 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-042646 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-304220 Applicant：日本電気株式会社
特開平4-056270

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