フォトダイオードとその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：宮崎昭夫 , 石橋政幸 , 緒方雅昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006099074
Publication number (International publication number)：2007273832
Application date： Mar. 31, 2006
Publication date： Oct. 18, 2007
Summary：

【課題】入射光に対して高速応答し、かつ効率が高いフォトダイオードを提供する。【解決手段】半導体層3の表面に櫛形の周期的凹凸構造8を設け、周期的凹凸構造8の凸部の上面上に第1の電極1を配置し、凹部の底面上に第2の電極2を配置する。周期的かつ立体的に配置された第1および第2の電極によって入射光により表面プラズモン共鳴が励起され、励起された表面プラズモンによって第1および第2の電極の少なくとも一方と半導体との界面に近接場光を含むフォトンが励起される。この近接場光によって、第1の電極1および第2の電極2近傍の半導体層3内の空乏層において電子・正孔対が発生するので、光電流を得ることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

周期的凹凸を表面に有し、少なくとも前記周期的凹凸の凸部が半導体で形成されている構造体と、前記周期的凹凸の前記凸部の上面上に配置された第1の電極と、前記周期的凹凸の凹部の底面上に配置され前記半導体と電気的に接続する第2の電極と、を有し、周期的かつ立体的に配置された前記第1および第2の電極によって入射光により表面プラズモン共鳴が励起され、励起された表面プラズモンによって前記第1および第2の電極の少なくとも一方と前記半導体との界面に近接場光を含むフォトンが励起される、フォトダイオード。

IPC (2)：

H01L 31/10 , H01L 31/108

FI (2)：

H01L31/10 A , H01L31/10 C

F-Term (8)：

5F049MA04 , 5F049MA05 , 5F049MB02 , 5F049NA01 , 5F049NA03 , 5F049PA14 , 5F049SE09 , 5F049SS03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

光電子カプラ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平8-507561 Applicant：ブラント・エイ・ペインター,ザ・サード
垂直型金属半導体マイクロ共振器による光検出装置およびその製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2001-552450 Applicant：セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク
フォトダイオードとその製造方法
Gazette classification：再公表公報 Application number：JP2005006660 Applicant：日本電気株式会社

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Cited by examiner (3)

受光集積素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-282804 Applicant：沖電気工業株式会社
受光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-144420 Applicant：日本電信電話株式会社
特開昭59-108376

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