有機半導体材料及び有機電界効果トランジスタ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：真田有
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006253927
Publication number (International publication number)：2007116115
Application date： Sep. 20, 2006
Publication date： May. 10, 2007
Summary：

【課題】塗布プロセスが可能で、高次の規則性及び結晶性を有し、且つ、安定性も良好な有機半導体材料を提供する。【解決手段】5員環及び/又は6員環の芳香環が6以上、20以下結合してなり、且つ、下記式(1)で表わされる部分構造を有し、移動度が1.0×10-3cm2/Vs以上であり、固体状態でのイオン化ポテンシャルが、4.8eV以上、5.6eV以下である化合物を用いる。式中、R1及びR2は各々独立に、水素原子又は一価の有機基を表わす。但し、R1及びR2の少なくとも一方は、置換されていても良い芳香族基である。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

5員環及び/又は6員環の芳香環が6以上、20以下結合してなり、且つ、下記式(1)で表わされる部分構造を有し、移動度が1.0×10-3cm2/Vs以上であり、固体状態でのイオン化ポテンシャルが、4.8eV以上、5.6eV以下であることを特徴とする有機半導体材料。

IPC (4)：

H01L 51/30 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01L 29/786

FI (4)：

H01L29/28 250H , H01L29/28 100A , H01L29/28 310J , H01L29/78 618B

F-Term (40)：

5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110GG05 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110NN01 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN36

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

米国特許第5347144号明細書
特開平4-133351号公報
ポリチオフェン類
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-004785 Applicant：ゼロックス・コーポレーション

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

Organic thin film transistors
FUNCTIONALISED HETEROAROMATIC TRIMERS : BUILDING BLOCKS FOR LARGE HETEROAROMATIC OLIGOMERS
Polythiophene-based field-effect transistors with enhanced air stability

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