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J-GLOBAL ID：200903069961497006

電界放出素子及びその製造方法

Inventor：
アン ソンドク

About アン ソンドク

, 
イ ジンホ

About イ ジンホ

, 
チョ カンイク

About チョ カンイク


Applicant, Patent owner：
韓國電子通信研究院

About 韓國電子通信研究院


Agent (1)： 谷 義一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002156358
Publication number (International publication number)：2003203556
Application date： May. 29, 2002
Publication date： Jul. 18, 2003
Summary：
【要約】【課題】 半導体素子の製造工程でナノメートルサイズのホールをまず形成し、ホール内にエミッタを形成してエミッタのアスペクト比を増加させることにより、駆動電圧を低めて消費電力を低減すること。【解決手段】 シリコン基板21に形成されたエミッタ電極24と、エミッタ電極24上に形成された絶縁層25と、絶縁層25にナノサイズで形成され、エミッタ電極24を露出させるナノホール27と、ナノホール27の底面に形成された触媒層28と、ナノホール27内に形成されたエミッタ29及びエミッタ29の周囲の絶縁層25上に形成されたゲート電極26とから構成され、半導体製造工程でナノメートルサイズのホール27を形成し、ナノホール27内にエミッタ29を形成してエミッタ29のアスペクト比を増加させることにより、駆動電圧を低めて消費電力を減少させることが可能な効果がある。
Claim (excerpt)：
表面部にエミッタ電極が形成されたシリコン基板と、前記エミッタ電極上に形成され、該エミッタ電極が露出されるようにナノホールが形成された絶縁層と、該ナノホール内に形成されたエミッタと、前記絶縁層上に形成されたゲート電極とからなることを特徴とする電界放出素子。
IPC (2)：
H01J 1/304 ,  H01J 9/02
FI (2)：
H01J 9/02 B ,  H01J 1/30 F
F-Term (20)：
5C127AA01 ,  5C127BA03 ,  5C127BA06 ,  5C127BA15 ,  5C127BB02 ,  5C127BB07 ,  5C127CC03 ,  5C127DD32 ,  5C127DD65 ,  5C127DD76 ,  5C127EE06 ,  5C127EE08 ,  5C135AA03 ,  5C135AA06 ,  5C135AA15 ,  5C135AB02 ,  5C135AB07 ,  5C135AC03 ,  5C135HH06 ,  5C135HH08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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