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J-GLOBAL ID：200903069961715445

フッ素含有二酸化シリコン被膜の被着方法

Inventor： ダニエル・エイ・カール ,  シャリ・シュクマン
Applicant, Patent owner： ノベラス・システムズ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大島 陽一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996179878
Publication number (International publication number)：1997106986
Application date： Jun. 20, 1996
Publication date： Apr. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 優れた段差部被覆性(ステップカバレッジ)及び平坦性を有する、安定性の高いフッ素含有二酸化シリコン被膜の被着方法を提供する。【解決手段】 プラズマCVD用平行プレートに二重周波数RF電力源が備えられる。TEOS、酸素、及びフッ素の混合ガスから、フッ素含有二酸化シリコン被膜を被着する処理に際して、低周波RF電力源が高周波電力より高レベルの電力を供給する。このように形成された被膜は、安定で、優れた段差部被覆性及び平坦性を有する。

Claim (excerpt)：

プラズマCVDを用いて、フッ素を含有する二酸化シリコンを被着する方法であって、プラズマCVDリアクタ内に基板を保持する過程と、TEOS分、酸素分、及びフッ素分を含む気体混合物を、前記リアクタ内に導入する過程と、前記基板の周辺の前記気体混合物を励起してプラズマにするべく、前記気体混合物に交流電力を与える過程とを有し、前記気体混合物において、酸素分圧のTEOS分圧に対する比が、実質的に高いことを特徴とするフッ素含有二酸化シリコン被膜の被着方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/50

FI (3)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/31 C ,  C23C 16/50

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• シリコン酸化膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-238536   Applicant：株式会社ジーティシー
• 絶縁膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-029137   Applicant：富士通株式会社