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J-GLOBAL ID：200903070019401239

磁気抵抗効果型ヘッド

Inventor： 岩崎 仁志 ,  上口 裕三 ,  船山 知己
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996237880
Publication number (International publication number)：1997138918
Application date： Sep. 09, 1996
Publication date： May. 27, 1997
Summary：

【要約】【課題】 センス電流による磁界がスピンバルブエレメントの磁界検出層に与える悪影響を低減する。【解決手段】 上下シールド膜、上下ギャップ絶縁膜、信号磁界により磁化が回転する磁界検出層、非磁性層、信号磁界により実質的に磁化が動かない磁化固着層、前記磁化固着層と接したバイアス膜から構成されたスピン依存散乱による巨大磁気抵抗効果現象を示すGMRエレメントおよび電極を有するシールド型の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記磁化固着層を含む側における前記磁界検出層の膜厚中心とシールドのギャップ膜の接する面との間隔が、磁化固着層を含まない側に比べて広く設定されている。

Claim (excerpt)：

基板上に順に層状に形成された下シールド膜、下ギャップ膜、磁気抵抗効果素子および電極、上ギャップ膜および上シールド膜からなるシールド型磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子は、信号磁界により磁化が回転する磁界検出層、信号磁界により実質的に磁化が動かない磁化固着層、前記磁界検出層と前記磁化固着層との間に設けられた非磁性層および前記磁化固着層と接したバイアス膜から構成され、前記磁界検出層に加わるセンス電流による電流磁界を弱めるのに十分な、センス電流により磁化された磁界検出層側シールドから生じる磁界が得られるように前記磁界検出層の膜厚中心から前記磁化固着層を含まない側のシールド膜がギャップ膜に接する面までの距離gfと、前記磁界検出層の膜厚中心から前記磁化固着層を含む側のシールド膜がギャップ膜に接する面までの距離gpとの比が設定されていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 巨大磁気抵抗効果膜を用いた磁気記録再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-224705   Applicant：株式会社日立製作所
• 磁気抵抗効果型再生ヘツド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-156599   Applicant：富士通株式会社