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J-GLOBAL ID：200903070030460220

半導体熱処理用の電気抵抗式ガラス状カーボン製ヒータ

Inventor： 外谷 栄一 ,  市島 雅彦 ,  大橋 忠 ,  島田 真幸 ,  三谷 慎一 ,  本多 恭章
Applicant, Patent owner： 東芝セラミックス株式会社 ,  東芝機械株式会社
Agent (1)： 田辺 徹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995171590
Publication number (International publication number)：1997007955
Application date： Jun. 15, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】【目的】 空気を含む雰囲気下でも消耗が少なく、固定部分がスパーク熱が発生しない半導体熱処理用電気抵抗式ガラス状カーボン製ヒータを提供する。【構成】 反応室の内部でウエハを支持部材で支持し、上記支持部材に支持されたウエハの真下にヒータを設け、ウエハの表面に気相成長させる気相成長装置に使用する半導体熱処理用の電気抵抗式ガラス状カーボン製ヒータにおいて、ヒータが熱膨張係数2.5〜3.5×10-6/°Cのガラス状カーボンで形成された帯状のヒータであることを特徴とする半導体熱処理用電気抵抗式ガラス状カーボン製ヒータ。

Claim (excerpt)：

反応室の内部でウエハを支持部材で支持し、上記支持部材に支持されたウエハの下方にヒータを設け、ウエハの表面に気相成長させる気相成長装置に使用する半導体熱処理用の電気抵抗式ガラス状カーボン製ヒータにおいて、ヒータが熱膨張係数2.5〜3.5×10-6/°C(20°C〜450°C)のガラス状カーボンで形成された帯状のヒータであることを特徴とする半導体熱処理用電気抵抗式ガラス状カーボン製ヒータ。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H05B 3/14

FI (2)：

H01L 21/205 ,  H05B 3/14 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• カーボンヒーター
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-321300   Applicant：信越化学工業株式会社
• 特開昭63-045188
  
• 気相成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-096870   Applicant：富士電機株式会社
• 特開昭63-166195