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J-GLOBAL ID：200903070043629178

半導体装置

Inventor： 松井 裕一 ,  櫛田 惠子 ,  鳥居 和功 ,  三木 浩史 ,  藤崎 芳久
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996349426
Publication number (International publication number)：1998189904
Application date： Dec. 27, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【解決手段】 TiN膜を高パワ-(12w/平方センチメ-トル以上)、低圧力(1mTorr以下)のスパッタ法を用いて形成することにより、少なくとも(111)面よりも(200)面のX線回折ピ-ク強度の大きいTiN膜を得ることができる。この場合の(200)面のX線回折ピ-ク半値幅は10度以下となる。このTiN膜は耐酸化性が高いため、図1に示すようにPtを100nmまで薄膜化しても酸化が起こらない。さらに(200)面に配向したTiN膜上ではPtの結晶性がよくなり、PZTの結晶性も向上させることができる。そのため、比誘電率と残留分極値の大きいPZT膜を得ることがでる。【効果】 下部電極Ptの薄膜化が可能となり、加えてPZTの電気的特性も向上させることができるため、DRAMや強誘電体不揮発性メモリ等の容量記憶素子の微細化、高集積化が可能となる。

Claim (excerpt)：

第一の下部電極、第二の下部電極、絶縁膜、上部電極の順に積層されるキャパシタを有する半導体装置において、第一の下部電極は(200)面のX線回折強度が(111)面のX線回折強度よりも大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451

FI (4)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-245616   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体集積回路装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-064077   Applicant：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社

Cited by examiner (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-245616   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体集積回路装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-064077   Applicant：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社