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J-GLOBAL ID:200903070129054780

フォトマスクの修正方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小倉 亘
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998331631
Publication number (International publication number):2000155409
Application date: Nov. 20, 1998
Publication date: Jun. 06, 2000
Summary:
【要約】【目的】 基板にダメージを与えることなく、1μm以下の精度でフォトマスクを修正し、黒欠陥を除去する。【構成】 基板1上に形成されたクロム薄膜2,酸化クロム膜3からなるフォトマスクをレーザ加工で修正する際、フォトマスクをパルス幅3〜16psのレーザ光で照射する。レーザ光としては、600〜1100nmの波長をもつものが好ましい。【作用】 パルス幅3〜16psのレーザ光で照射するとき、基板1がダメージを受けることなく、クロム薄膜2及び酸化クロム膜3が選択的に加工され、シャープなエッジをもつ加工部が形成される。
Claim (excerpt):
基板上に設けられた金属薄膜からなるフォトマスクをレーザ光で修正する際、パルス幅3〜16psのレーザ光を照射して金属薄膜を選択的に加工し、フォトマスクの黒欠陥を除去することを特徴とするフォトマスクの修正方法。
IPC (3):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01S 3/00
FI (4):
G03F 1/08 V ,  H01S 3/00 B ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 502 W
F-Term (9):
2H095BD32 ,  2H095BD34 ,  5F072AB20 ,  5F072JJ20 ,  5F072QQ02 ,  5F072RR01 ,  5F072RR03 ,  5F072SS08 ,  5F072YY08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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