Pat
J-GLOBAL ID：200903070232504939

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998302130
Publication number (International publication number)：2000133590
Application date： Oct. 23, 1998
Publication date： May. 12, 2000
Summary：
【要約】【課題】 半導体装置の電解効果移動度を向上する。【解決手段】 下地膜110上に、PECVD法でシリコン膜150を成膜し、更に、窒化シリコン膜でなる絶縁膜170を成膜する。CVDシリコン膜150は、非晶質成分と結晶成分とが混在した半導体薄膜であり、結晶粒と結晶粒の間に非晶質部分が存在している結晶構造を有し、その結晶粒は基板面を底面とする柱状構造を呈している。絶縁膜170が表面に存在した状態でCVDシリコン膜150をエキシマレーザによりアニールして結晶性シリコン膜151を形成する。絶縁膜170と共に、シリコン膜151を島状にパターニングし活性層200、300、310を形成する。島状の絶縁膜221、321、322で活性層200、300、310表面を覆った状態を保つことで、活性層表面がボロンで汚染されたり、自然酸化膜が形成されることを防止できる。
Claim (excerpt)：
絶縁表面に形成され、半導体薄膜でなる活性層を有する半導体素子を含む半導体回路を備え、前記半導体薄膜は非晶質成分と結晶成分が混在する半導体薄膜をその表面に絶縁膜が接した状態で結晶化した膜で形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4)：
H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 627 G
F-Term (52)：
2H092JA01 ,  2H092JA24 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA15 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092MA37 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  2H092PA08 ,  5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA02 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA02 ,  5F052EA11 ,  5F052EA15 ,  5F052FA06 ,  5F052FA24 ,  5F052JA04 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE34 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG45 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ18 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP22
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM