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J-GLOBAL ID：200903070235001385

窒化物半導体成膜方法

Inventor： 中田 嘉信 ,  奥村 元
Applicant, Patent owner： 工業技術院長 ,  三菱マテリアル株式会社
Agent (2)： 福田 武通 (外3名) ,  福田 武通 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997042003
Publication number (International publication number)：1998242055
Application date： Feb. 26, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】高性能な窒化物半導体の成膜方法を提供する。【解決手段】シリコン基板1上にGaのバリア層2を形成した後に、GaNの薄膜3,4を成長させる。

Claim (excerpt)：

半導体ウエーハ上に窒化物半導体をヘテロエピタキシャル成長させる窒化物半導体成膜方法であって、上記窒化物半導体の非窒化成分を0.05から5原子層の厚さに上記半導体ウエーハ上に成膜してバリア層とし、該バリア層上に上記窒化物半導体を成膜することを特徴とする窒化物半導体成膜方法。

IPC (2)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 21/203 S ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-292320   Applicant：松下電子工業株式会社
• 窒化ガリウム単結晶薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-001610   Applicant：日本電気株式会社