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J-GLOBAL ID:200903070237263018

セラミックス回路基板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 波多野 久 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995185842
Publication number (International publication number):1997036540
Application date: Jul. 21, 1995
Publication date: Feb. 07, 1997
Summary:
【要約】【課題】繰り返しの冷熱サイクルを長時間付加した後においてもクラックの発生が効果的に抑制される、いわゆる耐熱サイクル性に優れた信頼性が高いセラミックス回路基板を提供する。【解決手段】Ti,Zr,Hf,V,NbおよびTaから選択される少なくとも1種の活性金属を含有する銀-銅系ろう材層5を介して窒化物系セラミックス基板2と金属回路板3とを接合して成り、銀-銅系ろう材層5と窒化物系セラミックス基板2とが反応して生成される反応生成層6のビッカース硬度が1100以上であることを特徴とする。また銀-銅系ろう材層5に、さらにIn,Zn,CdおよびSnから選択される少なくとも1種の元素を含有させるとよい。
Claim (excerpt):
Ti,Zr,Hf,V,NbおよびTaから選択される少なくとも1種の活性金属を含有する銀-銅系ろう材層を介して窒化物系セラミックス基板と金属回路板とを接合して成り、上記銀-銅系ろう材層と窒化物系セラミックス基板とが反応して生成される反応生成層のビッカース硬度が1100以上であることを特徴とするセラミックス回路基板。
IPC (5):
H05K 3/38 ,  C04B 37/02 ,  H05K 1/09 ,  H01L 23/14 ,  H05K 3/20
FI (5):
H05K 3/38 C ,  C04B 37/02 B ,  H05K 1/09 C ,  H05K 3/20 Z ,  H01L 23/14 M
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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