トレンチ構造半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高野則次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005245533
Publication number (International publication number)：2007059766
Application date： Aug. 26, 2005
Publication date： Mar. 08, 2007
Summary：

【課題】 IGBT等のトレンチ構造半導体装置のpn接合の耐圧向上を容易に達成することが困難であった。【解決手段】半導体基板1は、その中央部分4にIGBTのセルを構成するための複数の第1のトレンチ5を有し、その外周部分6に耐圧改善用の複数の第2のトレンチ7を有する。第1のトレンチ5の中に第1の絶縁膜18及び第1のトレンチ導電体19が配置され、第2のトレンチ7の中に第2の絶縁膜26及び第2のトレンチ導電体27が配置されている。第2のトレンチ導電体27の相互間を容量結合させるために複数容量結合導電体層29が設けられている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

互いに対向する一方の主面と他方の主面とを有し、且つ前記一方の主面の中央部分から前記他方の主面に向かって延びている第1のトレンチと、前記一方の主面の中央部分を囲む外周部分から前記他方の主面に向かって延びており且つ前記中央部分を連続的又は非連続的に環状に囲んでいる複数の第2のトレンチとを有している半導体基板と、前記第1及び第2のトレンチの先端側の一部を囲むように前記半導体基板の中に配置され且つ第1導電型を有している第1の半導体領域と、前記半導体基板の前記一方の主面の前記中央部分と前記第1の半導体領域との間に形成され且つ前記第1のトレンチを囲むように配置され且つ前記第1のトレンチよりも浅い深さを有し且つ前記第1導電型と反対の第2導電型を有している第2の半導体領域と、前記半導体基板の前記一方の主面の前記外周部分と前記第1の半導体領域との間に配置され且つ前記第2のトレンチよりも浅い深さを有し且つ前記半導体基板の外周端よりも内側に配置され且つ第2導電型を有している耐圧改善半導体領域と、前記第1のトレンチの壁面に形成された第1の絶縁膜と、前記第1のトレンチの中に配置され且つ前記第1の絶縁膜を介して前記第1のトレンチの壁面に対向している第1のトレンチ導電体と、前記複数の第2のトレンチの壁面にそれぞれ配置された複数の第2の絶縁膜と、前記複数の第2のトレンチの中にそれぞれ配置され且つそれぞれの第2の絶縁膜を介して前記複数の第2のトレンチの壁面にそれぞれ対向している複数の第2のトレンチ導電体と、前記第2の半導体領域に直接に又は別の半導体領域を介して接続された第1の主電極と、前記第1の半導体領域に直接に又は別の半導体領域を介して接続された第2の主電極と、前記複数の第2のトレンチ導電体の相互間を容量結合するために前記半導体基板の前記一方の主面上に配置された複数の容量結合導電体と、少なくとも複数の容量結合導電体の相互間に配置された誘電体とを備えていることを特徴とするトレンチ構造半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/06 , H01L 29/78 , H01L 29/739

FI (4)：

H01L29/78 652P , H01L29/78 655A , H01L29/78 653A , H01L29/78 655F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

高耐圧半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-094171 Applicant：株式会社東芝
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-100858 Applicant：松下電工株式会社

Cited by examiner (2)

高耐圧半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-094171 Applicant：株式会社東芝
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-100858 Applicant：松下電工株式会社

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