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J-GLOBAL ID:200903070292501432
成膜装置及び成膜方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993089116
Publication number (International publication number):1994280026
Application date: Mar. 24, 1993
Publication date: Oct. 04, 1994
Summary:
【要約】【目的】 気相法でフレキシブルなフィルム状の基板上に薄膜を形成する際に、薄膜に残存する内部応力によって基板が反ってしまうことを防止する。【構成】 気相法で薄膜を形成する際に予め、成膜せんとする薄膜に残存する内部応力を打ち消す向きに応力が働くように基板を湾曲させておき、成膜を行う。こうすることにより、基板の湾曲に起因する応力と基板上に成膜される薄膜に残存する応力とが打ち消し合い、基板の反り、薄膜と基板との界面における応力、該応力に起因するクラック、等を防ぐことができる。
Claim (excerpt):
気相法で基板上に薄膜を形成する成膜装置であって、成膜後に薄膜に残留する内部応力を打ち消す方向に基板を湾曲させる機能を有する成膜装置。
IPC (5):
C23C 16/50
, C23C 14/20
, C23C 14/24
, C23C 14/34
, C23C 16/44
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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特開平2-072677
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特開平4-157160
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特開平3-072073
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特開平1-105326
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特開昭58-182822
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プラズマCVD成膜方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-173613
Applicant:松下電器産業株式会社
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特開昭57-101663
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特開昭58-057439
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平坦なCVDダイヤモンド薄膜の製造法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-330830
Applicant:ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
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