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J-GLOBAL ID:200903070299446216
プラズマ処理装置及びそれを用いた表面加工方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
藤谷 修
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007255315
Publication number (International publication number):2009087698
Application date: Sep. 28, 2007
Publication date: Apr. 23, 2009
Summary:
【課題】簡易な構成のプラズマ処理装置。【解決手段】プラズマ処理装置100は、両端に2つの開口2i及び2oを有し、銅管から成る管部2と、高周波電源3、マッチング回路3m、2つの接続端子3f-1及び3f-2、シールド4、ガス混合部5、固定台6を有し、固定台6に載置された接地された導体から成る被処理体Sの表面に、プラズマ化したアルゴン流と共に六フッ化硫黄(SF6)を噴射させるものである。シールド4は、マッチング回路3mと接続端子3f-1及び3f-2及び管部2の大半をシールドする。ガス混合部5は管部2の開口2o近傍に設けられた六フッ化硫黄(SF6)の流路を形成する。プラズマ化されたアルゴンと接触した六フッ化硫黄(SF6)が分解されてフッ化物イオン(F-)及び/又はフッ素原子(F)が生成し、被処理体Sの表面をエッチングする。【選択図】図4
Claim (excerpt):
導体から成り、両端に開口を有する管部と、
前記管部の一端からプラズマ発生用ガスを導入する手段とを有し、
前記管部に、所定の長さを離して2つの端子が接続され、当該2つの端子間に高周波電位を印加することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (1):
FI (1):
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
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プラズマジェット発生装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-297850
Applicant:科学技術振興事業団
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マイクロプラズマジェット発生装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-076940
Applicant:独立行政法人科学技術振興機構
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